BARIY IONLARI BILAN IMPLANTATSIYA QILINGAN SiO2 NING ELEKTRON-ZONA PARAMETRLARINI TADQIQ ETISH UO‘K: 533.537
Referat
Ushbu ishda ion implantatsiyasi va keyingi qizdirishning energiya diapazonlari parametrlariga, emissiya xususiyatlariga, shuningdek, haqiqiy ikkilamchi elektronlarning chiqish chuqurligiga (λ) ta'siri o'rganildi. Amorf kremniy oksidi plyonkasidan haqiqiy ikkilamchi elektronlarning chiqish chuqurligi 250-300Å ekanligi ko'rsatilgan. Ion implantatsiyasi ikkilamchi elektron emissiya koeffitsiyentini va haqiqiy ikkilamchi elektronlar chiqish sohasini 1,5-2 marta, kremniy oksidining ta’qiqlangan soha kengligini 0,3-0,4 eV ga, sirtni bariy atomlari bilan boyitishga olib keladi va sirt qatlamining biroz kristallanishi. Ion implantatsiyasi usulida olingan SiO2 plyonkasini T⁓ 900 - 1000 K gacha qizdirish σm va λ ning kam miqdorda oshishiga (15 - 20% ga), ta’qiqlangan soha kengligini sezilarli o'sishiga (1,5 martagacha) olib keladi, bu natija bariy oksidining hosil bo'lishi bilan asoslanadi. Ion implantatsiyaning qizdirish natijasida SiO2 ning ta’qiqlangan soha kengligi va haqiqiy ikkilamchi elektronlar(λ)ning chiqish chuqurligini oshirishga olib keladi.
Mualliflar haqida
Adabiyotlar ro'yxati
Lieske N., Hezel R. Core and valence electron excitatione of amorphous silicon oxide and silicon nitride studies by energy electron loss spectroscopy//Thin Solid Films. 1979. V. 61. №2. P. 217-228.
Ibach H., Rowe J.E. Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and of silicon dioxide//Phys. Rev. 1974. V. B. 10. P. 710-718 .
Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш., Умирзаков Б.Е. Температурные зависимости ВЭ свойств образцов, легированных ионной бомбардировкой//Изб. АН УзР. Сер. физ.-мат. наук. 1977. №3. С. 70-73
Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш. Влияние ионного легирования окиси кремния на зону выхода ИВЭ//Тез. Докладов на XVI Всесоюзной конф. по эмис. электронике. Л.1978. С. 321.
Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Ташкент: ФАН, 1989. 158 с
Умирзаков Б.Э., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноэпитакциальные пленка и герероструктура на основе кремния / Монография, Ташкент 2012, 184 с.
Чуева Т.Р., Молоканов В.В., Умнова Н.В., Умнов П.П. Исследование конструкционных аморфных проводов Cо сплава методом электронной микроскопии. // XXVII Российская конференция «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 2018. Том 2. 2018.- с.76. DOI: 10.13140/RG.2.2.10093.44005
Tetelbaum D.I., Gerasimov A.I. On the high-dose effect in the case of ion implantation of silicon. // Semiconductors, Vol. 38, № 11, 2004, p. 1260-1262. doi.10.1134/1.1823055.
Некрашевич С.С., Гриценко В.А. Электронная структура оксида кремния // Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 2. с.209-222.
Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. // Диэлектрики в наноэлектронике. Издательство СО РАН, Новосибирск (2010). 257 с.
Адамчук В.П. // Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь. Межвуз. сб. Владивосток: Дальневосточный ун-т, 1986. с. 259.
Лифшиц В.Г. Котляр В.Г., Саранин А.А. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 12. С. 76.
