ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЗОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ SiO2 ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ БАРИЯ УДК: 533.537
Аннотация
В работе было исследовано влияние ионной имплантации и последующего отжига на параметры энергетических зон, эмиссионные свойства, а также на глубину (λ) выхода истинно вторичных электронов. Показано, что глубина выхода истинно вторичных электронов аморфной пленки окиси кремния составляет 250-300Å. Ионная имплантация приводит к увеличению коэффициента вторично электронно эмиссии и зоны выхода истинно вторичных электронов 1,5-2 раза, ширины запрещенной зоны окиси кремния на 0,3-0,4 эВ, к обогащению поверхности атомами бария и некоторой кристаллизацией приповерхностного слоя. Прогрев ионно-легированной пленки SiO2 до Т⁓ 900 – 1000 К приводит к некоторому росту (на 15 - 20 %) σm и λ, существенному увеличению (до 1,5 раза) ширины запрещенной зоны, что связано с преимущественным образованием окислов бария. Ионная имплантация в сочетании с отжигом приводит к увеличению ширины запрещенной зоны SiO2 и глубины выхода истинно вторичных электронов λ.
Об авторах
Список литературы
Lieske N., Hezel R. Core and valence electron excitatione of amorphous silicon oxide and silicon nitride studies by energy electron loss spectroscopy//Thin Solid Films. 1979. V. 61. №2. P. 217-228.
Ibach H., Rowe J.E. Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and of silicon dioxide//Phys. Rev. 1974. V. B. 10. P. 710-718 .
Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш., Умирзаков Б.Е. Температурные зависимости ВЭ свойств образцов, легированных ионной бомбардировкой//Изб. АН УзР. Сер. физ.-мат. наук. 1977. №3. С. 70-73
Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш. Влияние ионного легирования окиси кремния на зону выхода ИВЭ//Тез. Докладов на XVI Всесоюзной конф. по эмис. электронике. Л.1978. С. 321.
Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Ташкент: ФАН, 1989. 158 с
Умирзаков Б.Э., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноэпитакциальные пленка и герероструктура на основе кремния / Монография, Ташкент 2012, 184 с.
Чуева Т.Р., Молоканов В.В., Умнова Н.В., Умнов П.П. Исследование конструкционных аморфных проводов Cо сплава методом электронной микроскопии. // XXVII Российская конференция «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 2018. Том 2. 2018.- с.76. DOI: 10.13140/RG.2.2.10093.44005
Tetelbaum D.I., Gerasimov A.I. On the high-dose effect in the case of ion implantation of silicon. // Semiconductors, Vol. 38, № 11, 2004, p. 1260-1262. doi.10.1134/1.1823055.
Некрашевич С.С., Гриценко В.А. Электронная структура оксида кремния // Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 2. с.209-222.
Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. // Диэлектрики в наноэлектронике. Издательство СО РАН, Новосибирск (2010). 257 с.
Адамчук В.П. // Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь. Межвуз. сб. Владивосток: Дальневосточный ун-т, 1986. с. 259.
Лифшиц В.Г. Котляр В.Г., Саранин А.А. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 12. С. 76.
Как цитировать
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.