STUDY OF ELECTRON-BAND PARAMETERS OF SiO2 IMPLANTATION WITH BARIUM IONS UDC: 533.537
Abstract
The work investigated the influence of ion implantation and subsequent annealing on the parameters of energy bands, emission properties, as well as on the depth (λ) of the escape of true secondary electrons. It has been shown that the depth of escape of truly secondary electrons from an amorphous silicon oxide film is 250-300Å. Ion implantation leads to an increase in the coefficient of secondary electron emission and the zone of release of truly secondary electrons by 1.5-2 times, the band gap of silicon oxide by 0.3-0.4 eV, to the enrichment of the surface with barium atoms and some crystallization of the surface layer. Heating the ion-doped SiO2 film to T⁓ 900 - 1000 K leads to a slight increase (by 15 - 20%) σm and λ, a significant increase (up to 1.5 times) in the band gap, which is associated with the predominant formation of barium oxides. Ion implantation in combination with annealing leads to an increase in the band gap of SiO2 and the depth of escape of true secondary electrons λ.
About the Authors
List of references
Lieske N., Hezel R. Core and valence electron excitatione of amorphous silicon oxide and silicon nitride studies by energy electron loss spectroscopy//Thin Solid Films. 1979. V. 61. №2. P. 217-228.
Ibach H., Rowe J.E. Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and of silicon dioxide//Phys. Rev. 1974. V. B. 10. P. 710-718 .
Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш., Умирзаков Б.Е. Температурные зависимости ВЭ свойств образцов, легированных ионной бомбардировкой//Изб. АН УзР. Сер. физ.-мат. наук. 1977. №3. С. 70-73
Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш. Влияние ионного легирования окиси кремния на зону выхода ИВЭ//Тез. Докладов на XVI Всесоюзной конф. по эмис. электронике. Л.1978. С. 321.
Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Ташкент: ФАН, 1989. 158 с
Умирзаков Б.Э., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноэпитакциальные пленка и герероструктура на основе кремния / Монография, Ташкент 2012, 184 с.
Чуева Т.Р., Молоканов В.В., Умнова Н.В., Умнов П.П. Исследование конструкционных аморфных проводов Cо сплава методом электронной микроскопии. // XXVII Российская конференция «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 2018. Том 2. 2018.- с.76. DOI: 10.13140/RG.2.2.10093.44005
Tetelbaum D.I., Gerasimov A.I. On the high-dose effect in the case of ion implantation of silicon. // Semiconductors, Vol. 38, № 11, 2004, p. 1260-1262. doi.10.1134/1.1823055.
Некрашевич С.С., Гриценко В.А. Электронная структура оксида кремния // Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 2. с.209-222.
Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. // Диэлектрики в наноэлектронике. Издательство СО РАН, Новосибирск (2010). 257 с.
Адамчук В.П. // Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь. Межвуз. сб. Владивосток: Дальневосточный ун-т, 1986. с. 259.
Лифшиц В.Г. Котляр В.Г., Саранин А.А. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 12. С. 76.
How to Cite
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.